【引言】
磁聚變反應(yīng)堆中的關(guān)鍵部件,比如偏濾器或等離子體材料,都需要滿足一些性能要求,包括低活化、高熔點(diǎn)、良好的機(jī)械性能、低濺射腐蝕和低氚保留/共沉積。這些部件必須在高溫下長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行,在暴露于大等離子體熱量和高能中性氫同位素(D和T)的情況下,不會(huì)發(fā)生故障或大面積侵蝕。鎢是等離子體材料的好的選擇,因?yàn)樗哂休^高的熔融溫度、較低的腐蝕速率和較低的氚保留。然而,鎢本身具有非常低的斷裂韌性,這嚴(yán)重限制了部件的有效操作溫度,并同時(shí)產(chǎn)生了一系列制造上的困難。目前已經(jīng)觀察到的結(jié)果是,D和He在中等溫度下(<800K)會(huì)起泡,He在高溫下(>1600K)會(huì)形成凹坑、空穴和起泡。這些現(xiàn)象的形成機(jī)理尚不清楚,但科學(xué)家猜測(cè)其很大歸因于材料缺陷中D和He的積累。在稍微低一點(diǎn)的溫度下(1250-1600K),將鎢暴露在He等離子體中可以觀察到納米級(jí)起泡的產(chǎn)生。而在接近國(guó)際熱核實(shí)驗(yàn)反應(yīng)堆的工作條件下,可以發(fā)現(xiàn)材料表面具有納米結(jié)構(gòu)的形貌。這些納米結(jié)構(gòu)表面所增加的表面積和脆性引起了鎢用作聚變反應(yīng)堆等離子體材料的關(guān)注。
【成果簡(jiǎn)介】
近日,美國(guó)洛斯阿拉莫斯國(guó)家實(shí)驗(yàn)室開發(fā)了一種具有優(yōu)異耐輻射性能的體心立方鎢基耐火高熵合金。該合金生長(zhǎng)為薄膜,在納米晶和超細(xì)體系中顯示出雙峰晶粒尺寸分布,并通過原子探針斷層掃描(APT)顯示出獨(dú)特的4nm薄片結(jié)構(gòu)。透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射顯示材料在高溫?zé)嵬嘶鸷蟪霈F(xiàn)某些黑點(diǎn)。TEM和APT分析認(rèn)為黑點(diǎn)的產(chǎn)生于富含Cr和V的第二相顆粒有關(guān)。此外,納米力學(xué)測(cè)試結(jié)果顯示沉積樣品的硬度為14GPa,輻射硬化幾乎可以忽略不計(jì)。結(jié)合ab initio和Monte Carlo模擬預(yù)測(cè)了富含V的第二相粒子的形成以及點(diǎn)缺陷的相等摩爾點(diǎn)作為輻射耐受性的起點(diǎn)。該成果以題為“Outstanding Radiation Resistance of Tungsten-Based High-Entropy Alloys”發(fā)表在Sci. Adv.上。
【圖文導(dǎo)讀】
Figure 1.合金組份表征
(a)。HEA膜的TEM表征(b)。HEA膜的元素分析(c)。HEA膜的橫截面SEM表征
Figure 2.HEA的APT分析
(a-d)。Cr,V,Ta和W的3D分布(e-h)。元素二維組份分析(i-l)。三種不同GBs的俯視圖
圖3.TEM表征
圖4.材料輻射后的TEM表征
(a)。使用<111>區(qū)域成像顯示小黑點(diǎn)(b)。雙光束成像顯示沒有黑點(diǎn)
圖5.HEA輻射后的APT分析
(a-d)。Cr,V,Ta和W的三維分布(e-h)。 Cr,V,Ta和W的二維組份分析(i-l)。三種不同GBs的俯視圖
圖6.原子構(gòu)型的理論預(yù)測(cè)
(a)。W38Ta36Cr15V11的SRO參數(shù)隨溫度的變化(b)。W38Ta36Cr15V11的原子構(gòu)型模擬(c)。元素的平均濃度分布
【小結(jié)】
在這個(gè)工作中,作者開發(fā)了一種具有優(yōu)異耐輻射性能的體心立方鎢基耐火高熵合金。該合金生長(zhǎng)為薄膜,在納米晶和超細(xì)體系中顯示出雙峰晶粒尺寸分布,并通過原子探針斷層掃描(APT)顯示出獨(dú)特的4nm薄片結(jié)構(gòu)。透射電子顯微鏡(TEM)和X射線衍射顯示材料在高溫?zé)嵬嘶鸷蟪霈F(xiàn)某些黑點(diǎn)。TEM和APT分析認(rèn)為黑點(diǎn)的產(chǎn)生于富含Cr和V的第二相顆粒有關(guān)。此外,納米力學(xué)測(cè)試結(jié)果顯示沉積樣品的硬度為14GPa,輻射硬化幾乎可以忽略不計(jì)。結(jié)合ab initio和Monte Carlo模擬預(yù)測(cè)了富含V的第二相粒子的形成以及點(diǎn)缺陷的相等摩爾點(diǎn)作為輻射耐受性的起點(diǎn)。
Outstanding Radiation Resistance of Tungsten-Based High-Entropy Alloys(Sci. Adv., 2019, DOI: 10.1126/sciadv.aav2002)
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