從現(xiàn)狀來看，我國制造業(yè)規(guī)模大、產(chǎn)能高，但是制造水平低端，制約我國新材料行業(yè)發(fā)展的三座大山始終是材料、設(shè)備和工藝。

我國重工業(yè)器件百分之八十以上的零部件可以自行生產(chǎn)，少數(shù)性能要求及其苛刻且必須保證在惡劣環(huán)境下維持足夠壽命的關(guān)鍵部件需要進(jìn)口，而正是這一小部分零件使我國無法擺脫對進(jìn)口材料的依賴。造成這種現(xiàn)狀的主要因素是制備工藝不夠成熟。以渦輪葉片為例，我國雖有自主研發(fā)的多種高性能合金，但產(chǎn)業(yè)上無法制備出大尺寸的完全單晶鑄造結(jié)構(gòu)，使得材料的高性能因微觀結(jié)構(gòu)的不理想而受到限制，產(chǎn)品的壽命大大縮減。歐美等國家在精密鑄造領(lǐng)域的優(yōu)勢卻是我國的短板，高溫合金作為其中一部分，由于其多應(yīng)用于航空航天和軍工領(lǐng)域，因此備受關(guān)注。未來合金的發(fā)展方向是合理利用現(xiàn)有的技術(shù)基礎(chǔ)、物質(zhì)資源、人才資源等，保持優(yōu)勢，有針對性地突破嚴(yán)重限制我國航空工業(yè)及重工業(yè)水平發(fā)展的核心技術(shù)。

在半導(dǎo)體領(lǐng)域和柔性顯示方面，我國產(chǎn)業(yè)水平主要受限于材料和設(shè)備，設(shè)備精度不高導(dǎo)致下游產(chǎn)品一直處于中低端狀態(tài)。

近年來，國內(nèi)外一直致力于第三代半導(dǎo)體的研發(fā)，但我國受產(chǎn)品精度影響，下游產(chǎn)品多為低端照明產(chǎn)品，芯片等高端電子設(shè)備與國外相差甚遠(yuǎn)。這種現(xiàn)狀主要是由設(shè)備和工藝的差距造成的。在外延工藝方面，歐美國家的優(yōu)勢是對CVD和PVD制程溫度等參數(shù)的嚴(yán)格控制。光刻機(jī)和掩膜版決定著光刻圖案的精密程度，間接影響到芯片的處理速度，儲存信息能力等，我國在這方面與國外相比有一定的差距。除此之外，我國半導(dǎo)體檢測設(shè)備也處于空白階段。由于產(chǎn)業(yè)鏈下游多為照明產(chǎn)品，檢測高端芯片的設(shè)備在產(chǎn)業(yè)鏈應(yīng)用比例不大，因此該類設(shè)備研發(fā)起步晚，國內(nèi)外技術(shù)差距較大。國內(nèi)發(fā)力方向應(yīng)主要集中在設(shè)備領(lǐng)域，設(shè)備精度、參數(shù)控制能力等的提升對于高端下游產(chǎn)品的量產(chǎn)起著至關(guān)重要的作用。

我國柔性顯示產(chǎn)業(yè)在具備國外設(shè)備（如蒸鍍設(shè)備、靶材濺射設(shè)備等）、材料（如PVA光學(xué)膜、TAC膜等），國內(nèi)充足的勞動力、大規(guī)模生產(chǎn)線的建設(shè)等條件下，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能迅速提升，在全球市場占據(jù)一席之地。但在材料和工藝方面，日韓具備領(lǐng)先優(yōu)勢，目前完全壟斷市場。舉例來說，日本偏光片的制備優(yōu)勢在于目前所應(yīng)用的技術(shù)與LCD部分重合，TAC和PVA膜原本用在LCD偏光片中，日本的公司已經(jīng)具備成熟的技術(shù)，而我國在TAC和PVA膜行業(yè)起步晚，產(chǎn)品性能始終無法達(dá)到光學(xué)級別。

與合金和半導(dǎo)體領(lǐng)域不同，我國柔性顯示從原材料到設(shè)備都依賴進(jìn)口，國內(nèi)生產(chǎn)主要集中在加工和封裝環(huán)節(jié)，無法做到整條產(chǎn)業(yè)鏈完全獨(dú)立。但是建立一條完全應(yīng)用我國自主研發(fā)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)鏈不是一蹴而就的事情，需要長期不斷地積累，并利用國外的設(shè)備、借鑒成熟的制備工藝、以現(xiàn)有材料為基礎(chǔ)進(jìn)行創(chuàng)新設(shè)計。

正是由于這些因素限制，我國新材料產(chǎn)業(yè)才在不同的方面被外國“卡住脖子”，唯有逐個擊破才能助力我國早日實(shí)現(xiàn)科技強(qiáng)國。