
左圖----一種由材料暴露在環(huán)境中引起缺陷的MoS2的實驗圖像(通過掃描隧道顯微鏡STM獲得),中間----STM圖像的模擬結(jié)果,右圖----層狀原子的結(jié)構(gòu)模型。圖片來源:NUST MISIS
這是有史以來第一次詳細描述了在長期環(huán)境影響下二維二硫化鉬的結(jié)構(gòu)變化,該研究由來自NUST MISIS、匈牙利科學(xué)院、Namur大學(xué)(比利時)和韓國標(biāo)準(zhǔn)與科學(xué)研究所的一個國際科學(xué)家團隊完成。新的研究結(jié)果縮小了二硫化鉬在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用范圍,同時也為利用二維材料作為催化劑開辟了新的道路。該研究成果已發(fā)表在國際科學(xué)雜志Nature Chemistry上。
二硫化鉬(MoS2)被認為是各種微電子設(shè)備如高頻探測器、整流器和晶體管的潛力材料,因此世界各地的研究團隊都在積極研究它的二維形態(tài)——MoS2納米薄膜。然而,新的研究表明,當(dāng)這種二維材料在空氣中氧化嚴(yán)重時,它就變成了另一種形態(tài)。
任何使用MoS2的電子設(shè)備如果沒有適當(dāng)?shù)谋Wo,就會相對較快地停止工作。因而要在微電子學(xué)中使用MoS2,這些設(shè)備必須封裝保存。
“有史以來第一次,我們成功地通過實驗證明,在環(huán)境條件下,二硫化鉬會一層一層的嚴(yán)重降解,氧化并轉(zhuǎn)化為固體溶液MoS2-xOx。”研究小組組長、NUST MISIS無機納米材料實驗室的首席研究員Pavel Sorokin說:“二硒化鉬可以作為沒有缺陷和損失的二維半導(dǎo)體,這是另一種具有類似結(jié)構(gòu)的材料。”
在實驗中,利用超聲波對二硫化鉬晶體進行分層,在常溫下和長時間(18個月以上)的環(huán)境條件下,對二硫化鉬的二維層進行了維護,在此過程中,科學(xué)家觀察了其表面結(jié)構(gòu)的變化。
“由于使用了掃描顯微鏡,我們能夠在長期接觸環(huán)境條件的情況下,追蹤二維二硫化物晶體的結(jié)構(gòu)變化。我們發(fā)現(xiàn)以前被認為是穩(wěn)定的物質(zhì)實際上是自發(fā)氧化的,但同時,MoS2單分子的原始晶體結(jié)構(gòu)保留了MoS2-xOx的固體溶液。我們的模擬提出一種解決固體機制的方案,并且與理論計算的結(jié)果是完全一致的。
Sorokin總結(jié)說:”這項研究的第二個關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)是,二硫化鉬的單層材料變成了固體溶液MoS2-xOx的二維晶體,它是機電過程的有效催化劑。“
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標(biāo)簽: 二維材料, 二硫化鉬, 微觀結(jié)構(gòu)
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