高均勻性：晶圓表面粗糙度由非晶態(tài)的415 pm降至37 pm，拉曼光譜及SHG成像證實全區(qū)域單晶結構。

高結晶度：原子級STEM顯示ABC堆疊有序，層間距0.83 nm。

器件性能：

遷移率：平均287 cm²/V·s（峰值347 cm²/V·s），為所有二維半導體薄膜器件最高紀錄。

亞閾值擺幅（SS）：平均67.3 mV/dec，接近玻爾茲曼極限（60 mV/dec）。

導通電流密度：892 μA/μm（Vds=3 V，柵極長度480 nm），遠超同類器件。

10 nm短溝道器件：

彈道輸運率：78%，電流密度達1.2 mA/μm（@V_DS=0.8 V）。

能效突破：延遲0.39 ps，能量延遲積（EDP）低至5.27×10^-29 J·s/μm，超越2037年硅基技術預測極限。

綜合優(yōu)勢：

在電壓、柵長、DIBL、有效質量、開關比、彈道率六項指標上全面優(yōu)于Intel 3 nm節(jié)點技術。

圖1：InSe晶片生長的SLS策略設計

圖2：InSe薄膜的特性