導(dǎo)讀:在BCC結(jié)構(gòu)的輕質(zhì)難熔高熵合金(LRHEA)變形過程中,低應(yīng)變硬化率(SHR)引起的應(yīng)變局部化會導(dǎo)致合金過早頸縮,導(dǎo)致均勻拉伸延展性(UTD)差,限制了它們的加工性和適用性。為了解決這一問題,北京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院王華明研究團(tuán)隊通過“增材+變形”后處理引入多尺度異質(zhì)結(jié)構(gòu),包括微觀雙峰晶粒分布、亞微米球形C14-Laves相、納米級局部化學(xué)波動(LCF)和小于1nm的原子團(tuán)簇,將合金的SHR從負(fù)提高到1.5 GPa。與初始均勻化樣品相比,合金的強(qiáng)度提高了13.8%,UTD提高了710%,整體性能優(yōu)于大多數(shù)LRHEA。雙峰晶粒界面可以有效地協(xié)調(diào)變形過程中兩者之間的應(yīng)變分布,加速幾何必要位錯(GND)的產(chǎn)生和儲存,背應(yīng)力隨著應(yīng)變而累積和增加,穩(wěn)定硬化能力。同時,精細(xì)分散的C14-Laves相在不影響塑性的情況下起著沉淀強(qiáng)化的作用。基體的LCF和Al-Zr原子團(tuán)簇可以進(jìn)一步調(diào)節(jié)統(tǒng)計存儲位錯(SSD)的形態(tài)和分布。一方面,它們可以有效地釘扎位錯并使其彎曲,從而增加SSD的遷移阻力;另一方面,由微帶阻斷和多滑移系統(tǒng)相互作用引起的位錯纏結(jié)激活了新的位錯源,導(dǎo)致次級微帶以網(wǎng)狀方式迅速擴(kuò)張。這些顯著提高了塑性變形過程中的同步位錯增殖率和動態(tài)位錯密度,保持了合金高而持續(xù)的SHR。因此,通過引入多尺度異質(zhì)結(jié)構(gòu)來優(yōu)化GND和SSD密度和分布的協(xié)調(diào),可以有效地提高LRHEA的SHR,從而實現(xiàn)強(qiáng)度和UTD之間的良好匹配。
相關(guān)研究成果以“Enhancing the strain-hardening rate and uniform tensile ductility of lightweight refractory high-entropy alloys by tailoring multi-scale heterostructure strategy”發(fā)表在塑性領(lǐng)域國際頂級期刊“International Journal of Plasticity”上。論文通訊作者為北航材料學(xué)院朱言言副研究員,第一作者為北航材料學(xué)院博士生張言嵩。
論文鏈接:
https://doi.org/10.1016/j.ijplas.2024.104237
https://authors.elsevier.com/a/1kQ5B2gSkSbiSy
圖 1.合金熱加工路線的示意圖
圖 2.四個樣品的 EBSD 結(jié)果。(a) HT 樣品的反極圖 (IPF) 圖。(b) CR70 樣品的 IPF 圖。(c) CR70 樣品的KAM 圖。(d) RA 樣品的 IPF 圖,其中實線表示 CG,虛線表示 FG。(d1、d2)放大的晶粒尺寸圖,顯示了與 (d) 中的白框相對應(yīng)的晶粒形態(tài)。(e) (d) 中 FG 和 CG 區(qū)域的晶粒尺寸分布。(f) AT 樣品的 IPF 圖,其中實線表示 CG,虛線表示 FG。(f1、f2)放大的晶粒尺寸圖,顯示了與 (f) 中的白框相對應(yīng)的晶粒形態(tài)。(g)(d)中 FG 和 CG 區(qū)域的晶粒尺寸分布。
圖 3.四個樣品的 TEM 觀察。(a) HT 樣品的明場 (BF) 圖像。(b) CR70 樣品的 BF 圖像。(c) RA 樣品的 BF 圖像。(d) AT 樣品的 BF 圖像。(e) AT 樣品中 C14 相的 BF 形貌圖像。(e-1∼e-5)EDS 映射顯示了 C14 沉淀物的相應(yīng)元素分布。(f) 衍射圖譜對應(yīng)于 AT 樣品中的 BCC 矩陣。(g) 衍射圖譜對應(yīng)于 AT 樣品中的 C14 相。
圖 4.AT 樣品的詳細(xì) TEM 觀察。(a) HAADF-STEM 圖像顯示了納米級 LCF。(b) 高分辨率 TEM (HRTEM) 圖像說明了 LCF 和 BCC 基體沿 [111] 區(qū)軸的分布。(b-1)BCC 矩陣的快速傅里葉變換 (FFT) 圖像如 (b) 所示。(b-2)LCF 的 FFT 圖像如 (b) 所示。插圖:在 BCC 基體和 LCF 的衍射點比較中觀察到的輕微偏差。(c) BCC 基體中 LCF 的隨機(jī)暗場 (DF) 圖像。(d) 渲染后 LCF 更明顯的形態(tài)對應(yīng)于 (c)。(d-1)分布在 BCC 矩陣中的少量納米團(tuán)簇。(d-2)分布在 LCF 中的密集納米團(tuán)簇。(e) RA 樣品沿 [111] 區(qū)軸的 HRTEM 圖像。(E-1)(e) 的晶格膨脹場。(f) AT 樣品沿 [111] 區(qū)軸的 HRTEM 圖像,包括基質(zhì)和 LCF。(f-1) (f) 的晶格膨脹場。
圖 5.沿 [001] 區(qū)軸的原子結(jié)構(gòu)的 AT 樣品的 HAADF-STEM 圖像和相應(yīng)的原子分辨率 EDS 映射,以顯示原子團(tuán)簇。(a) 原子結(jié)構(gòu)的 HAADF–-STEM 圖像。(a-1∼a-5)對應(yīng)于 (a) 的每個元素的 EDS 映射。(b) 沿 (a) 中黃色方塊區(qū)域 [110] 方向的單元分布的逐列線掃描剖面。(c) Al+Zr 元素的對比疊加圖。(d) Nb+Zr 元素的對比疊加圖。
圖 6.四類樣品的拉伸試驗。(a) 拉伸真應(yīng)力-應(yīng)變曲線,交點處的應(yīng)變(用黃色五角星標(biāo)記)代表均勻拉伸延展性 (UTD).(b)完整的 SHR 曲線。(c)這項工作的屈服強(qiáng)度-UTD 與以前報道的 RHEA 之間的比較。
圖7.AT 樣品的變形異質(zhì)性和背應(yīng)力強(qiáng)化效應(yīng)。(a) CG/FG 界面的晶粒尺寸分布映射。(b) (a) 的 KAM 映射。(c) 變形前后雙峰晶區(qū)的納米壓痕載荷-位移曲線。(d) GND 映射。(e) GNDs 分布示意圖對應(yīng)于 (d)。(f)7 個點的 GND 值對應(yīng)于 (d) 中的粉紅色線。
圖8.(a) AT 樣品的應(yīng)變硬化速率曲線。(b) AT 樣品的位錯密度與真實應(yīng)變的關(guān)系,由原位拉伸衍射圖譜和 Williamson-Hall 方法得出。
圖9.在 ε∼ 0.04 應(yīng)變下 AT 樣品精細(xì)微觀結(jié)構(gòu)的 TEM 特性。(a) 變形位錯陣列的 BF 圖像。(b) 陣列內(nèi)彎曲和堵塞的位錯的 BF 圖像。(c) 關(guān)于 LCF 誘導(dǎo)的位錯的固定效應(yīng)的 BF 圖像。(d) 固定位錯的低放大倍率 STEM 圖像。(e) 固定點處的高分辨率 HAADF-STEM 圖像,其中白色虛線圓圈表示對比度波動區(qū)域。(f) 沿 (e) 中黃色方塊區(qū)域的 [110] 方向的對比度分布的逐列線掃描剖面。
圖 10.AT 樣品在 ε∼ 0.08 處的 TEM 變形微觀組織和斷裂應(yīng)變。(a) 多滑移系統(tǒng)的 BF 圖像。(b) 位錯陣列中纏結(jié)的 BF 圖像和多滑移系統(tǒng)的交點。(c) 位錯糾纏形成示意圖。(d, e)具有不同滑移方向的次級微帶的 BF 圖像。(f) 位錯糾纏的次級微帶示意圖。
圖 11.拉伸變形過程中四個樣品的初始微觀結(jié)構(gòu)和變形機(jī)制示意圖。
結(jié)論:
本研究將一種復(fù)雜的多尺度異質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)策略引入低 SHR 和較差的 UTD LRHEA中,實現(xiàn)了高強(qiáng)度和卓越 UTD 的獨特組合。對微觀結(jié)構(gòu)演變、拉伸性能和變形機(jī)制進(jìn)行了細(xì)致而全面的表征和分析,得出以下結(jié)論:
1.高溫再結(jié)晶退火成功地在 LRHEAs 中引入了完全再結(jié)晶的微觀雙峰晶粒和亞微米球形 C14 相。采用低溫長期老化引入納米級 LCF 和非均勻分布的 Al-Zr 原子團(tuán)簇。通過分層控制成核生長、調(diào)幅分解和負(fù)混合焓驅(qū)動的多級熱力學(xué)響應(yīng),制備了復(fù)雜的多尺度異質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)。
2.室溫拉伸試驗表明,這種多尺度異質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)將 RA 和 AT 樣品的 SHR 從 HT 和 CR70 樣品的負(fù)值提高到大于 1GPa 的穩(wěn)定值。值得注意的是,在變形后期,AT 樣品的 SHR 進(jìn)一步增加到 1.5GPa。與原始 HT 樣品相比,AT 樣品的屈服強(qiáng)度提高了 13.8 %,UTD 提高了 710 %,使其綜合機(jī)械性能在現(xiàn)有 LRHEA 中名列前茅。
3.HT 和 CR70 樣品中的低 UTD 歸因于負(fù) SHR,這是由于 GND 和 SSD 在塑性變形過程中不協(xié)調(diào)的平衡。RA 樣品通過引入雙峰晶粒和少量 C14 相來增加變形過程中 GND 的存儲,進(jìn)一步穩(wěn)定了 SHR。在此基礎(chǔ)上,AT 樣品進(jìn)一步引入了 LCF 和 Al-Zr 原子團(tuán)簇。一方面,它們增強(qiáng)了對 SSD 遷移的抵抗力,另一方面,它們通過 SSD 的快速增殖實現(xiàn)了局部應(yīng)變的離域,從而延緩了頸縮的發(fā)生。與這些多尺度異質(zhì)微觀結(jié)構(gòu)相對應(yīng)的變形機(jī)制的協(xié)同效應(yīng)可以顯著提高合金的 SHR,為解決當(dāng)前 LRHEA 中低 UTD 的問題提供有價值的見解。
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